意法半导体（STMicroelectronics）宣布，同意进行收购方式法国对于氮化镓（GaN）创新者Exagan的多数企业股权。
每一代电子产品都需要更多的电力，电力行业的电力部门正从硅转向宽带差距（WBG）半导体材料。随着时间的推移，ST创造了一个良好的碳化硅（SiC）市场，但GaN和SiC目前在电力IC市场的不同部分。收购Exagan将有助于ST微满足不同客户对工业市场的需求。
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ExaGaN致力于加快电力电子产业从硅基技术向gan-on-silicon技术的转变，实现更小、更高效的功率转换器。它的氮化镓电源开关是为标准的200毫米晶圆制造而设计的。用于功率开关应用的氮化镓技术主要基于硅衬底。
Yole d é development 公司技术和市场分析师 ezgi dogmus 表示: “除了在电源 sic 设备市场处于领先地位之外，随着 gan 电源设备进入大容量快速充电器应用领域，意法半导体最近在电源 gan 业务上迈出了重要一步。”。Dogmus 继续表示: “正如2020年第一季度宣布的那样，通过与台积电合作，并收购法国初创企业 exagan 的多数股权，该公司已加强了自己在新兴 gan 电力市场的地位和投资组合。 exagan 的 sip 解决方案拥有众多专利和快速充电应用。”.
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氮化镓属于WBG材料进行家族，包括使用碳化硅。GaN提供了更高的效率，部分主要原因是由于器件结构尺寸比硅尺寸小得多。
对于那些寻求在不影响小型化的情况下提高效率的人来说，GaN是一个有吸引力的解决方案。
效率是所有工业部门的驱动力。在电子系统中，效率会导致性能限制和更短的使用寿命。更高的效率推动行业向更高的功率密度发展，从而能够生产更小、更轻、更可靠的产品，同时消除性能限制，并在数据中心和汽车系统中提供更高的功率水平。
“硅基功率控制半导体企业只能通过根据其成熟度来保证中国渐进式的改进。以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的宽带隙技术是前沿和创新的技术，为减少资源损耗和能源发展消耗问题提供了实质性和实际的好处。
Gan 产品将广泛用于功率因数校正和服务器、电信和工业应用中的 dc/dc 转换器，以及电动汽车充电器和汽车应用中的 dc-dc 转换器，以及电源适配器等个人电子应用中。
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“我们可以相信，GaN为系统需要设计师设计提供了一个具有巨大的机会，以提高企业各种技术应用的转换工作效率，例如通过便携式电子设备、数据信息中心、充电器的电源（各种不同型号），以及GaN用于车载充电器的汽车发展应用，DC-DC转换器和48V混合动力车，”来自菲利波·迪乔瓦尼的记者说。
GaN将提供比硅基晶体管更高的工作频率和功率密度。
